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基础知识/医学人文生理学——突触后电位及其产生机制:
突触后电位及其产生机制
1.兴奋性突触后电位(EPSP):是指突触后膜在某种神经递质的作用下产生的局部去极化电位的变化。其机制是兴奋性神经递质作用于突触后膜中相应的受体,打开神经递质门控通道(化学门控通道),增加突触后膜对Na的通透性,产生净内向电流,从而引起突触后膜的局部去极化。
2.抑制性突触后电位(IPSP)是指在某些神经递质的作用下,突触后膜局部超极化电位的变化。其机制是抑制性递质作用于突触后膜,打开突触后膜上的递质门控氯通道,引起外向电流,导致突触后膜局部超极化。此外,IPSP的形成可能与突触后膜钾通道的开放或钠通道和钙通道的关闭有关。
【例B1类型问题】
a.动作电位
b.阈电位
c.局部电位
d.静息电位
e.后电位
端板电位为
兴奋性突触后电位为[答案]C;[分析]终板电位是神经肌肉传递过程中在终板看到的局部电位变化。兴奋性突触后电位是指兴奋性神经递质作用于突触后膜产生的电位。当神经冲动传递到神经末梢时,兴奋性神经递质与突触后膜受体结合,提高膜对离子的通透性。这促进了钠离子快速流入膜外,导致膜内钠离子急剧增加,导致突触后膜去极化,膜电位降低。它是突触后膜兴奋的表现。属于本地潜力。
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